Flugzeugabsturz AN-12 Fluggesellschaften Atran 'im Bereich des Flughafens Domodedovo

Datum des Absturzes: 29.07.2007 von
Zeitpunkt des Absturzes: 04:17
Land des Absturzes: Russland
Ort des Absturzes: Moskauer Gebiet, 4 km. Domodedovo Flughafen zum Norden, in einem Wald in der Nähe des nördlichen Rand des Friedhofs Domodedovo
Flugzeug Marke: An-12BP
Registrierung von Flugzeugen: RA93912
Name des Luftfahrt: Atran
Flug: LE-9655

Chronologie der Ereignisse:

Das Flugzeug produziert Domodedovo Flug - Komsomolsk am Amur zu kg Fracht in Kartons von Flugzeugteilen 9043. Ausrichtung und Abfluggewicht nicht in Reichweite.

Nach 20 Sekunden der Trennung von der Streifen 32R, auf einer Höhe von 70-75 m und einer Geschwindigkeit von etwa 295 km / h, war fast gleichzeitigen Ausfall des rechten Motors (№3i №4), von einem Vogel verursacht sie getroffen. Propeller zaflyugirovalis automatisch.

Die Crew drehte sich das Flugzeug, um die Situation zu stabilisieren, aber bei dem Versuch, die Höhe des 50-60 m zu halten. Es war der Fall Geschwindigkeiten von bis zu 250-260 km / h. Bei diesem Tempo Verfügung Biegung Quer- und Seitenruder war nicht genug zur Abwehr der Wendungen und Krängungsmoment von den zwei Motoren, die für den Start-Modus auf der einen Seite des Flügels gearbeitet haben, und zaflyugirovannye zwei Motoren auf der anderen Seite. Als Ergebnis ist das Vorhandensein einer unkontrollierten Schlupf gehalten intensive rechten krenenie Flugzeugs.

Nach 1 Minute nach Ausfall eines Triebebene Rolle auf der rechten Seite mehr als 100 Grad begegnet einem großen Wald (Bäume Höhe 20m). Dann kam der Putsch und seine Kollision mit dem Boden unter einem Winkel größer Trajektorie 45 Grad. Als Folge der Kollision das Flugzeug verbrannt und zerstört, alle, die an Bord waren getötet wurden.

Flugzeugabsturz AN-12 der Nähe des Flughafens Domodedovo. 2007

Die Daten über die Opfer:

Insgesamt an Bord waren Menschen 7: 7 Crew. Zahl der Toten 7: 7 Crew.

Einzelheiten des Absturzes:

Phase des Fluges: Aufstieg
Die Ursachen des Absturzes: die Gründe für die Nicht-Standard-

Die Daten auf der Ebene:

Mark Flugzeug An-12BP
Flugzeug-ID: RA93912
Land, in dem Flugzeuge registriert: Russland
Herstellungsdatum des Flugzeugs: 1964
Die Seriennummer des Flugzeugs :: 4 34 17 09

Flugdaten:

Flight: LE-9655
Tour-Typ: LKW
Aviation Company: Atran
Das Land, das Luftfahrtunternehmen registriert wurde: Russland
Ich flog von Moskau (Domodedovo)
Fliegen in: Omsk (Central)
Original Ort: Moskau (Domodedovo)
Ein letzter Punkt: Komsomolsk am Amur

Zusätzliche Informationen:

Informationen über die Besatzung:

KBC - Igor Petrowitsch Zolotov
Der Co-Pilot - Sergey V. Chernyshev
Navigator - Yuri Korobkov

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Detnev239 April 20 2019 in 14: 27

Der Frequenzumrichter M810-06200330A unterscheidet sich vom CIMRE7Z20151A chastotnikka durch die tatsächliche Umrichter-Nennleistung, die Taktfrequenz des pwm-Betriebs, das Eigendiagnoseschema des Frequenzumrichter-Betriebsalgorithmus und auch hauptsächlich durch das Vorhandensein verschiedener eingebauter Hilfsfunktionen, die einfach eingerichtet und ausgeführt werden können Implementierung der automatisierten Arbeit externer Geräte ohne Verwendung zusätzlicher externer Elemente wie Steuerungen, Bedienfelder, Industrie Personal Computer Diese Faktoren spielen eine wichtige Rolle bei der Auswahl eines Frequenzumrichters für eine bestimmte Anwendung.

Fehlerprüfung und anschließende zuverlässige Reparatur der professionellen Geräte von Frequenzumrichtern, die von Danfoss, Delta, Vesper und anderen globalen Marken hergestellt werden, werden in der Elektrofabrik prom produziert. Austausch von IGBT-Modulen, die die wichtigsten Funkkomponenten im gesamten Gerät der Konverterausrüstung darstellen. Der Unterschied zwischen dem IGBT-Transistor und dem IGBT-Modul besteht darin, dass das Modul einen oder mehrere IGBT-Transistoren enthalten kann, die manchmal gemäß der Sziklai-Paar-Schaltung parallel geschaltet sind, um die Schaltleistung und in einigen Fällen die Steuerschaltung zu erhöhen. IGBT - ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate, ist ein leistungsstarkes Halbleiterbauelement, das üblicherweise als elektronischer Schlüssel für mittlere und hohe Spannungen verwendet wird. Durch die Kombination der Vorteile eines Bipolartransistors und eines Feldeffekttransistors werden eine große Schaltleistung und ein geringer Leistungsbedarf für die Steuerung erreicht, da die Steuerung nicht durch Strom, sondern durch die Potentialdifferenz erfolgt, was zu einem hohen Wirkungsgrad dieser Komponenten führt.